مقايسه تاثير MTAD ، کلر هگزيدين و هيپوکلريت سديم بر ميکروارگانيسم های هوازی کانال ريشه دندان های نکروزه (invivo)

زارع جهرمی, مریم and موسوی زاهد, شراره and حقیقی, ماندانا and مقدس, امید (2014) مقايسه تاثير MTAD ، کلر هگزيدين و هيپوکلريت سديم بر ميکروارگانيسم های هوازی کانال ريشه دندان های نکروزه (invivo). مجله تحقیق در علوم دندانپزشکی, 11 (2). pp. 78-82. ISSN 2008-4676

[img]
Preview
Text
Res Dent Sci-v11n2p78-fa.pdf

Download (542kB) | Preview
Official URL: http://www.jrds.ir/browse.php?a_id=566&sid=1&slc_l...

Abstract

خلاصه: سابقه و هدف: در مطالعه حاضر خاصيت آنتی باکتريال MTAD ، کلر هگزيدين و هيپوکلريت سديم بر ميکروارگانيسم های هوازی کانال ريشه نکروتيک مقايسه گرديد. مواد و روش‌ها: در اين مطالعه in vivoاز 17 دندان تک کاناله نکروزه با پريودنتيت مزمن اپيکالی استفاده گرديد. پس از بی حسی و ايجادحفره دسترسی، نمونه­گيري از کانالها توسط کن های کاغذی استريل انجام شد سپس نمونه ها فورأ به محلول BHI منتقل شده و به مدت 24 ساعت درانکوباتور با حرارت 37درجه سانتي­گراد انکوبه گرديدند. برای هر نمونه، 4 پليت هوازی آماده شدوتعدادکلنی ها شمارش گرديد. از هر سری از پليت ها يکی به عنوان کنترل مثبت که حاوی هيچ گونه ماده ی آنتی باکتريال نبود و پليت های ديگر به ترتيب حاوی صد ميکرو ليتر MTAD، کلر هگزيدين ./2درصد و هيپوکلريت سديم5/25 درصد بود که به محيط اضافه شدند. پس از سه روز انکوباسيون تعداد کلني­های باقيمانده بر سطح پليت شمارش شده و بصورت CFU/ml ثبت گرديد. برای ارزيابی تفاوت بين فعاليت های آنتی ميکروبيال شستشو دهنده های مختلف از آناليز آماری Kruskal-Wallis استفاده شد. يافته‌ها: ميانگين درصد مهار رشد باکتري­ها در حضور MTAD، کلر هگزيدين و هيپوکلريت سديم به ترتيب 29/42 % ،82/64 % و 39/40 % بود(0/0001> P). نتيجه‌گيری: به نظر می رسد فعاليت آنتی ميکروبيال کلرهگزيدين ازMTAD وهيپوکلريت سديم بر ميکروارگانيسم­هاي هوازی داخل کانال نکروزه بالاتر است.

Item Type: Article
Uncontrolled Keywords: mtad endodontics، کلر هگزيدين، هيپوکلريت سديم، آنتی ميکروبيال،
Subjects: WU Dentistry. Oral surgery
Divisions: Faculty of Dentistry
Depositing User: سمیه باغبانی
Date Deposited: 01 Sep 2014 03:41
Last Modified: 02 Aug 2017 09:25
URI: http://eprints.bpums.ac.ir/id/eprint/778

Actions (login required)

View Item View Item